韓國三星開始量產新一代 XDR DRAM 記憶體

　　韓國三星（Samsung）公司於今日（1 月 27 日）正式發表，該公司已開始進行由 Rambus 公司所研發的新一代記憶體「XDR DRAM」晶片的量產，首批量產的規格為 256Mbit 容量。

　　XDR DRAM 是 Rambus 公司所提出的新一代記憶體規格，名稱取自「eXtreme Data Rate」的縮寫，是承繼該公司先前所推出，獲 PS2 採用為主記憶體的 Rambus DRAM（簡稱 RDRAM）設計路線的高速序列傳輸記憶體。主要訴求於有高記憶體頻寬需求的應用，如高畫質數位影音攝錄放產品、電視遊樂器、數位電視以及高效能工作站 / 伺服器等。

　　XDR DRAM 可於單一時脈內傳輸 8 筆資料，運作速度可達 2.4～6.4Gtps（Gtps：每秒 10 億次傳輸）。本次三星所量產的 XDR DRAM 晶片，容量為 256Mbit，採用 Rambus 公司研發的 Differential Rambus Signal Level (DRSL) 技術，於 16bit 單通道下頻寬可達 8GBps，相當於 4Gtps 的運作速度，是目前主流記憶體規格 DDR400 SDRAM 的 10 倍，或 PS2 所採用的 PC3200 RDRAM 的 5 倍之多。三星並計劃於今年上半年發表 512Mbit 容量，運作速度提昇至 6.4Gtps 的 XDR DRAM 晶片。

　　目前預定投入 XDR DRAM 記憶體生產的廠商主要有 東芝（Toshiba）、爾必達（Elpida）與 三星 等 3 家廠商，初期皆預定投入量產 256Mbit 晶片。目前已確認 SCE 的新一代 PS 主機（暫稱 PS3）將採用 XDR DRAM 做為主記憶體，預估將會是 XDR DRAM 晶片初期最大的需求對象。另外包括與 SCE 合作開發新一代微處理器「CELL」的 IBM，也將於高效能電腦工作站 / 伺服器產品上使用 XDR DRAM，另一合作對象 NVIDIA 也可能於往後的 PC 顯示晶片產品上導入 XDR DRAM 的設計。