PS3 記憶體規格將有所變更?

    (GNN 記者 Sam 報導) 2004-07-12 17:53:54

      日前於日本所舉辦的「日本 Rambus 開發者論壇 2004(Rambus Developer Forum Japan 2004)」中,由預備投產 Rambus 公司新型記憶體「XDR DRAM」的三家廠商所發表的最新量產計劃,透露了 PS3 記憶體規格變更的可能性。

      「XDR DRAM」是 Rambus 公司所提出的新一代記憶體規格,原稱「Yellowstone」,是承繼該公司先前 Rambus DRAM 設計路線的高速序列傳輸記憶體,運作速度為 2.4~6.4Gtps(Gtps:十億次傳輸/秒),在使用 64 位元寬度的匯流排下,可達 19.2~51.2GBps 的記憶體頻寬,比目前主流的雙通道 DDR400 記憶體理論頻寬高出 3~8 倍之多。

      根據日本 PC Watch 網站專欄作家 後藤弘茂 的報導,預備投產 Rambus 公司新型記憶體「XDR DRAM」的三家廠商 東芝、三星 與 Elpida,於去年「Rambus 開發者論壇」所發表的量產計劃中,原本是預定以單顆 512Mbit 的 XDR 記憶體晶片作為首波量產的規格,但今年所發表的新藍圖中,卻改為以 256Mbit 的晶片作為首波量產。

      由於 Sony 發表將採用 XDR DRAM 作為 PS3 的記憶體,除外尚無其他大規模需求的市場,故一般認定 XDR DRAM 的量產計劃一開始將以供應 PS3 所需為主要考量,所以該報導推測此次 XDR DRAM 量產計劃的變更,反映了 PS3 記憶體系統規格的變動

      該報導表示,先前來自業界的消息指出,PS3 原定採用 4 顆 3.2Gtps 512Mbit XDR DRAM 記憶體晶片,構成 64bit 寬度,頻寬 25.6GBps,容量 256MB 的主記憶體系統,如今 256Mbit XDR DRAM 記憶體取代了 512Mbit 提前量產,代表了 PS3 的主記憶體系統將可能有以下兩種變化:

    晶片類型
    晶片數目
    匯流排寬度
    頻寬
    容量
    成本
    方案一
    256Mbit
    4
    64bit
    25.6GBps
    128MB
    方案二
    256Mbit
    8
    128bit
    51.2GBps
    256MB
    原方案
    512Mbit
    4
    64bit
    25.6GBps
    256MB

      由於東芝今年與去年所發表的 XDR DRAM 記憶體潛在市場預估報表並無顯著變化,表示東芝預期 XDR DRAM 的市場並不因為 256Mbit 記憶體晶片的搶先投產而有所減少,且 128MB 記憶體對於下一個世代的遊樂器來說,前瞻性過低,故後藤弘茂推測總容量不變的「方案二」可能性較大,也就是說 PS3 的記憶體頻寬將較原先所預估大一倍,而達到 51.2GBps 之多,附帶一提,目前已發表的 PC 顯示卡中記憶體頻寬最高為 ATi X800 XT 的 35.8GBps。

      同時該報導也由三記憶體廠商皆於 2005 年年中開始大規模量產 XDR DRAM 的時程,推測 PS3 也將於 2005 年年中量產,正式上市時間可能為 2005 年下半年到 2006 年上半年。

      來自日本方面的速報表示,SCE 於今日(7 月 12 日)下午的「PlayStation Meeting 2004」中,宣布「下一代系統(Next System,本文暫稱 PS3)」將於今年內正式發表,並預定於明年 E3 展出,究竟這些規格與上市時間的傳聞是否確實,答案很快就會揭曉,有興趣的玩家不妨注意相關報導。

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