Xbox 360 將採用 NEC 的內嵌式動態記憶體技術

　　NEC 於 4 月 26 日發表，微軟即將於 5 月正式發表的下一代 Xbox 主機（目前暫稱 Xbox 360）將採用由 NEC 所研發的內嵌式動態記憶體（Embedded DRAM，以下簡稱 eDRAM）技術。

　　eDRAM 技術是一種將動態記憶體（DRAM）與邏輯處理電路整合於單一晶片的技術。由於整合在同一晶片上，記憶體與處理電路間的匯流排（Bus）線路距離極短，寬度所受限制也較小，比起一般所使用的外接式 DRAM 來說，可提供更快速的存取與更大的記憶體頻寬。

　　雖然 eDRAM 因製程與成本限制，故所能提供的記憶體容量較小，但由於其單晶片整合、高速存取與高頻寬的特性，非常適合電視遊樂器的 3D 繪圖處理所需，故 PS2 與 NGC 等電視遊樂器主機，皆於繪圖晶片上採用了 eDRAM 技術，將數 MB 的 DRAM 內嵌於繪圖晶片中，與大容量但頻寬較低的外部記憶體相互搭配，來提供高效能的 3D 圖形處理需求。

　　由於 eDRAM 與一般邏輯處理電路的製程不同，故需透過特別的 eDRAM 製程來進行生產。為了達成新一代遊樂器邁入 HDTV 時代的高效能 3D 處理所需記憶體頻寬，微軟特別與 NEC 合作，藉助 NEC 獨自的 eDRAM 製造技術以及先前與 ATi 合作生產 NGC 繪圖晶片的經驗，將 eDRAM 的設計整合到 ATi 所研發的 Xbox 360 繪圖晶片之中，並由 NEC 以具備最先進製程技術的 300mm 晶圓廠負責生產。關於 Xbox 360 繪圖晶片所整合的 eDRAM 容量與頻寬等相關規格細節，目前尚未正式公布。

　　NEC 於 3 月初曾發表新一代的 90nm eDRAM 技術，預料將會用於本次所發表的 Xbox 360 繪圖晶片的生產製造。而任天堂下一代主機「革命（Revolution，簡稱 REV）」由於其繪圖晶片合作廠商與 Xbox 360 同樣都是 ATi + NEC，且已確定提供相容於 NGC 的能力，故預料也將會採用 eDRAM 的設計。

　　最早於遊樂器上應用 eDRAM 設計的 SCE，雖然目前並未正式發表與 PS3 繪圖晶片設計相關的資料，但由於 eDRAM 是 SCE 致力發展的技術之一，包括 PS2 與近期的 PSP 都採用了 eDRAM 的設計，故 PS3 繪圖晶片採用 eDRAM 的可能性非常高，3 大新主機不約而同的都走向 eDRAM 的設計。

　　目前各遊樂器主機所採用的記憶體設計資料如下：

名稱	主記憶體	頻寬	匯流排	繪圖記憶體	頻寬	匯流排
PS2	32MB Direct RDRAM 外接	3.2GBps	32bit	4MB eDRAM	48GBps	2560bit
NGC	24MB 1T-SRAM 外接	2.6GBps	64bit	3MB eDRAM	18GBps	896bit
Xbox	64MB DDR-SDRAM 外接	6.4GBps	128bit	共享主記憶體頻寬
PSP	32MB DDR-SDRAM 外接	1.3GBps	32bit	2MB eDRAM	5.2GBps	256bit
NDS	4MB P-SRAM 外接	未知	未知	656KB eSRAM	未知	未知