英特爾公司今日揭露製程與封裝技術的最新規劃，重新命名了製程節點。
英特爾表示，產業已意識到目前以奈米為基礎的製程節點命名方式，並不符合自 1997 年起採用閘極長度為準的傳統。英特爾今日公布其製程節點全新的命名結構，創造具備一致性的架構，給予客戶更為精確的製程節點認知。英特爾執行長基辛格（Pat Gelsinger）表示，今天所揭曉的各種創新，不僅開展了英特爾的產品路線規劃，它們對於晶圓代工的客戶也相當重要。
英特爾技術專家以新的節點命名方式，詳述下列未來製程與效能藍圖規劃，以及各節點所具備技術：
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Intel 7：植基於 FinFET（鰭式場效電晶體）最佳化，相較 Intel 10nm SuperFin 每瓦效能可提升大約10％～15％。Intel 7 將會使用在 2021 年的 Alder Lake 用戶端產品，以及 2022 年第一季量產的 Sapphire Rapids 資料中心產品。
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Intel 4：全面使用極紫外光（EUV）微影技術，透過超短波長的光，印製極小的形狀。伴隨每瓦效能提升約 20％，以及面積改進，Intel 4 將於 2022 下半年準備量產，2023 年開始出貨，client 用戶端Meteor Lake 和資料中心 Granite Rapids 將率先採用。
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Intel 3：Intel 3 相較 Intel 4 約能夠提供 18％ 的每瓦效能成長幅度。Intel 3 將於 2023 下半年準備開始生產。
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Intel 20A：以 RibbonFET 和 PowerVia 這 2 個技術開創埃米（angstrom）時代。RibbonFET 為英特爾環繞式閘極（Gate All Around）電晶體的實作成果，亦將是自 2011 年推出 FinFET 後，首次全新電晶體架構。此技術於較小的面積當中堆疊多個鰭片，於相同的驅動電流提供更快的電晶體開關速度。PowerVia 為英特爾獨特的背部供電，藉由移除晶圓正面供電所需迴路，以達最佳化訊號傳遞工作。Intel 20A 預計將於 2024 年逐步量產。英特爾也很高興公布 Qualcomm 將採用 Intel 20A 製程技術。
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2025 與未來：Intel 20A 之後，改良自 RibbonFET 的 Intel 18A 已進入開發階段，預計於 2025 年初問世。
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