東芝推出運作速度達 4.8GHz 的 XDR DRAM 記憶體

　　東芝於今日（30 日）發表由該公司所開發，運作速度可達 4.8GHz 的 512Mbit 第二代 XDR DRAM 記憶體，即日起開始進行樣品的出貨。

　　XDR DRAM 是 Rambus 公司所提出，承繼該公司先前所推出，曾獲 N64 與 PS2 採用為主記憶體的 Rambus DRAM（簡稱 RDRAM）設計路線的新一代高速序列傳輸記憶體，目前已確定將用於 SCE 下一代 PS 主機（暫稱 PS3）的主記憶體用途。

　　本次東芝所公布，開始進行測試樣品出貨的 XDR DRAM「TC59YM916BKG」，是容量為 512Mbit 的第二代產品，採用運作電壓 1.8V，振幅僅 0.2V 的 DRSL 微幅差動訊號技術，以單一時脈傳輸 8 筆資料的 ODR 方式，於 600MHz 的時脈下達成 4.8GHz 的資料傳輸速度，頻寬約為目前 PC 上最高階的 533MHz DDR2 記憶體的 9 倍，或是高階顯示卡所採用的 1.6GHz GDDR3 記憶體的 3 倍之多。

　　東芝同時也公布該 XDR DRAM 記憶體晶片於測試中可達成目前規格中最高的 6.4GHz 資料傳輸速度，比 4.8GHz 的頻寬提昇 3 成以上。將可滿足高記憶體頻寬需求的應用，如高畫質數位影音攝錄放產品、電視遊樂器（SCE PS3）、數位電視以及高效能工作站 / 伺服器（IBM CELL）等。

　　目前預定投入 XDR DRAM 記憶體生產的廠商主要有 東芝（Toshiba）、爾必達（Elpida）與 三星 等 3 家廠商。爾必達今日（30 日）也發表將開始進行 512Mbit 3.2GHz XDR DRAM 產品的樣品出貨，預定 9 月正式量產；三星則是於年初發表將正式量產 256Mbit 4GHz 的 XDR DRAM 記憶體，並預定於今年上半年發表 6.4GHz 的產品。目前已知 XDR DRAM 記憶體最大的需求將會是供應 PS3 的生產。